E. Ntsoenzok: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (90)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Effect of Si and He implantation in the formation of ultra shallow junctions in Si

M. Xu, G. Regula, R. Daineche, E. Oliviero, B. Hakim, E. Ntsoenzok, B. Pichaud

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 341 KB

english, 2010

Optical and nuclear characterization of Xe-induced nanoporosity in SiO2

A. Naas, D. De Sousa-Meneses, B. Hakim, G. Regula, M.F. Beaufort, A. Belaidi, E. Ntsoenzok

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 728 KB

english, 2010

Optical properties of rare earth-doped TiO2 anatase and rutile thin films grown by pulsed-laser deposition

Le Boulbar, E., Millon, E., Boulmer-Leborgne, C., Cachoncinlle, C., Hakim, B., Ntsoenzok, E.

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 498 KB

english, 2014

Influence of Hydrogen Plasma Treatment on He Implantation-Induced Nanocavities in Silicon

Vengurlekar, A., Ashok, S., Liu, C. L., Ntsoenzok, E., Barthe, M. F., Desgardin, P., Ruault, M. O.

Журнал:

MRS Proceedings

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.84 MB

english, 2003

A novel kerf-free wafering process combining stress-induced spalling and low energy hydrogen implantation

Pingault, Timothée, Pokam-Kuisseu, Pauline Sylvia, Ntsoenzok, Esidor, Blondeau, Jean-Philippe, Ulyashin, Alexander, Labrim, Hicham, Belhorma, Bouchra

Журнал:

Physica status solidi

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 553 KB

english, 2016

Silicon exfoliation by hydrogen implantation: Actual nature of precursor defects

Kuisseu, Pauline Sylvia Pokam, Pingault, Timothée, Ntsoenzok, Esidor, Regula, Gabrielle, Mazen, Frédéric, Sauldubois, Audrey, Andreazza, Caroline

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.98 MB

english, 2017

Numerical Analysis and Performance Investigation of New Hybrid System Integrating Concentrated Solar Flat Plate Collector with a Thermoelectric Generator System

Faddouli, A., Labrim, H., Fadili, S., Habchi, A., Hartiti, B., Benaissa, M., Hajji, M., EZ-Zahraouy, H., Ntsoenzok, E., Benyoussef, A.

Журнал:

Renewable Energy

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 871 KB

english, 2019

Gettering of Diffused Au and of Cu and Ni Contamination in Silicon by Cavities Induced by High Energy He Implantation

R. El Bouayadi, G. Regula, B. Pichaud, M. Lancin, CR. Dubois, E. Ntsoenzok

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 267 KB

english, 2000

Comparison of N- and P-type silicon irradiated by MeV protons and post-annealed at different temperatures

E. Ntsoenzok, P. Desgardin, J.F. Barbot, J. Vernois, D.B. Isabelle

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 1996

Defect levels in n-silicon after high energy and high dose implantation of proton

J.F. Barbot, C. Blanchard, E. Ntsoenzok, J. Vernois

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 297 KB

english, 1996

Modifications of He implantation induced cavities in silicon by MeV silicon implantation

P. Desgardin, M.-F. Barthe, E. Ntsoenzok, C.-L. Liu

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 142 KB

english, 2006

Transfer of thin silicon layers by MeV hydrogen implantation

H. Assaf, E. Ntsoenzok

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 159 KB

english, 2005

Structural and nuclear characterizations of defects created by noble gas implantation in silicon oxide

H. Assaf, E. Ntsoenzok, M.-F. Barthe, M.-O. Ruault, T. Sauvage, S. Ashok

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 332 KB

english, 2006

The evolution of cavities in Si co-implanted with Si and He ions1

Changlong Liu, E. Ntsoenzok, R. Delamare, D. Alquier, G. Regula, L. Vincent, C. Filadelfo, A. Claverie

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 476 KB

english, 2003

Effect of shallow donors induced by hydrogen on P+N junctions

S. Godey, E. Ntsoenzok, D.C. Schmidt, J.F. Barbot

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 114 KB

english, 1999

Enhanced diffusion of platinum in electron-irradiated silicon

D.C. Schmidt, B.G. Svensson, J.L. Lindström, S. Godey, E. Ntsoenzok, J.F. Barbot, C. Blanchard

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 104 KB

english, 1999

Proximity gettering of platinum in silicon following implantation with alpha particles at low doses

D.C Schmidt, J.F Barbot, C Blanchard, S Godey, E Ntsoenzok, B.G Svensson

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 206 KB

english, 2000

Gettering of platinum by cavities induced in silicon by high energy implantation of HE ions

G Mariani-Regula, B Pichaud, S Godey, E Ntsoenzok, O Perner, R El Bouayadi

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.07 MB

english, 2000

Helium desorption from cavities induced by high energy 3He and 4He implantation in silicon

S. Godey, E. Ntsoenzok, T. Sauvage, A. van Veen, F. Labohm, M.F. Beaufort, J.F. Barbot

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 325 KB

english, 2000

Studies of deep levels in He+-irradiated silicon

D.C. Schmidt, J.F. Barbot, C. Blanchard, P. Desgardin, E. Ntsoenzok, G. Blondiaux

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 161 KB

english, 1997

Luminescence Study of Silver Nanoparticles Obtained by Annealed Ionic Exchange Silicate Glasses

Olivier Véron, Jean Philippe Blondeau, Naas Abdelkrim, Esidor Ntsoenzok

Журнал:

Plasmonics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.41 MB

english, 2010

Synthesis of mesoporous amorphous silica by Kr and Xe ion implantation: Transmission electron microscopy study of induced nanostructures

E. Oliviero, M.-O. Ruault, B. Décamps, F. Fotuna, E. Ntsoenzok, O. Kaïtasov, S. Collin

Журнал:

Microporous and Mesoporous Materials

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.38 MB

english, 2010

Origin of Magnetism from Native Point Defects in ZnO

Khalil, B., Labrim, H., Mounkachi, O., Belhorma, B., Benyoussef, A., El Kenz, A., Ntsoenzok, E.

Журнал:

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 521 KB

english, 2012

Defect levels of proton-irradiated silicon with doses ranging from 1 × 1012 cm−2 to 1 × 1013 cm−2

J.F. Barbot, E. Ntsoenzok, C. Blanchard, J. Vernois, D.B. Isabelle

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 815 KB

english, 1995

Beam scanning system for the uniformity of implanted doses in a large area

P. Desgardin, E. Ntsoenzok, J.F. Barbot, J. Briaud, J. Vernois, D.B. Isabelle

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 1996

Si exfoliation by MeV proton implantation

Carole Braley, Frédéric Mazen, Aurélie Tauzin, François Rieutord, Chrystel Deguet, Esidor Ntsoenzok

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 486 KB

english, 2012

UV to NIR photon conversion in Nd-doped rutile and anatase titanium dioxide films for silicon solar cell application

E. Le Boulbar, E. Millon, E. Ntsoenzok, B. Hakim, W. Seiler, C. Boulmer-Leborgne, J. Perrière

Журнал:

Optical Materials

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2012

Anormal growth of cavities in MeV He implanted Si covered with a thin Al foil

R Delamare, E Ntsoenzok, F Labohm, A van Veen, J Grisolia, A Claverie

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 240 KB

english, 2002

An IR-reflectivity and X-ray diffraction study of high energy He-ion implantation-induced damage in 4H–SiC

A. Declémy, E. Oliviero, M.F. Beaufort, J.F. Barbot, M.L. David, C. Blanchard, Y. Tessier, E. Ntsoenzok

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 207 KB

english, 2002

Co-implantation of hydrogen and helium for thermal stabilization of lifetime in power devices

E Ntsoenzok, G Blondiaux

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 103 KB

english, 2002

The effect of particle fluence and flux in alpha-irradiated silicon

P. Desgardin, L. Henry, E. Ntsoenzok, G. Blondiaux, J.F. Barbot, C. Blanchard

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 337 KB

english, 1997

Defect levels of proton-irradiated silicon with a dose of 3.6 × 1013cm−2

D.C. Schmidt, J.F. Barbot, C. Blanchard, E. Ntsoenzok

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 715 KB

english, 1997

Residual defects in Cz-silicon after low dose self-implantation and annealing from 400°C to 800°C

D.C. Schmidt, B.G. Svensson, S. Godey, E. Ntsoenzok, J.F. Barbot, C. Blanchard

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 142 KB

english, 1999

Low temperature proximity gettering of platinum in proton irradiated silicon via interstitial cluster dissociation

D.C Schmidt, B.G Svensson, S Godey, E Ntsoenzok, J.F Barbot, C Blanchard

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 121 KB

english, 1999

Fracture in (100)Si after high energy protons implantation

Carole Braley, Frédéric Mazen, Anne-Marie Papon, Anne-Marie Charvet, François Rieutord, Esidor Ntsoenzok

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 384 KB

english, 2012

Growth mechanism of cavities in MeV helium implanted silicon

Grisolia, J., Claverie, A., Assayag, G. Ben, Godey, S., Ntsoenzok, E., Labhom, F., Van Veen, A.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 615 KB

english, 2002

Investigation of a planar optical waveguide in 2D PPLN using Helium implantation technique

Ripault, Q., Lee, M. W., Mériche, F., Touam, T., Courtois, B., Ntsoenzok, E., Peng, L.-H., Fischer, A., Boudrioua, A.

Журнал:

Optics Express

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.09 MB

english, 2013

Growth and migration of nanocavities in He+ multi-implanted Si measured by in situ small-angle X-ray scattering

Dumont, M., Regula, G., Coulet, M.-V., Beaufort, M.-F., Ntsoenzok, E., Pichaud, B.

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.72 MB

english, 2014

Xe distribution in amorphous SiO2 as a function of implantation and thermal annealing parameters

Naas, A., Ntsoenzok, E., De Sousa-Meneses, D., Hakim, B., Beya-Wakata, A.

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1004 KB

english, 2014

Nanocavity Generation in SiO[sub 2] by Kr and Xe Ion Implantation

Assaf, H., Ntsoenzok, E., Leoni, E., Barthe, M. F., Ruault, M. O., Kaitasov, O., Ashok, S.

Журнал:

Electrochemical and Solid-State Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 613 KB

english, 2007

Study of the defects induced in N-type silicon irradiated by 1-3 MeV protons

Ntsoenzok, E., Barbot, J.F., Desgardin, P., Vernois, J., Blanchard, C., Isabelle, D.B.

Журнал:

IEEE Transactions on Nuclear Science

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 459 KB

Ntsoenzok, E., Assaf, H., Ruault, M.O., Ashok, S.

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.36 MB

english, 2006

Evolution of shallow donors with proton fluence in n-type silicon

Ntsoenzok, E., Desgardin, P., Saillard, M., Vernois, J., Barbot, J. F.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

1996

Мова:

english

Файл:

PDF, 326 KB

english, 1996

[IEEE 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004. - Beijing, China (Oct. 18-21, 2004)] Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004. - Helium implant depth dependence on thermal growth of nanocavities in silicon

Ntsoenzok, E., Ashok, S., Regula, G., Pichaud, B.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2004

Influence of Gold Nanoparticles (Au NPs) for Performance Improvement of a-Si:H Photovoltaic Cells

Yu, Peiqing, Blondeau, Jean-Philippe, Andreazza, Caroline, Ntsoenzok, Esidor, Roussel, Julien, Dutheil, Perrine, Thomann, Anne-Lise, Caillard, Amael, Mustapha, Elyaakoubi, Meot, Jacques

Журнал:

Plasmonics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.45 MB

english, 2015